Processing and characterization of a PBT device using self-aligned CoSi2

Hatzikonstantinidou, Sofia ; Kaplan, W ; et al.

In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 9 (1994-12-01), S. 2272-2277

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We report the fabrication of an etched-groove permeable base transistor (PBT) test structure on silicon, using self-aligned CoSi2 for the base and emitter contacts. This process is fully compatible with a standard CMOS process. The structure has been characterized and simulated. The simulation results are compared with the measured characteristics of the fabricated device.

Titel:	Processing and characterization of a PBT device using self-aligned CoSi2
Autor/in / Beteiligte Person:	Hatzikonstantinidou, Sofia ; Kaplan, W ; Petersson, C. S. ; Nilsson, Hans-Erik ; Fröjdh, Christer
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/12/019
Zeitschrift:	Semiconductor Science and Technology, Jg. 9 (1994-12-01), S. 2272-2277
Veröffentlichung:	IOP Publishing, 1994
Medientyp:	unknown
ISSN:	1361-6641 (print) ; 0268-1242 (print)
DOI:	10.1088/0268-1242/9/12/019
Schlagwort:	Materials science Fabrication Silicon business.industry Transistor Base (geometry) chemistry.chemical_element Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Characterization (materials science) chemistry law Test structure Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Materials Chemistry Optoelectronics Electrical and Electronic Engineering business Cmos process Common emitter
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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