Some issues in advanced CMOS gate stack performance and reliability

Shen, C. ; Li, Ming-Fu ; et al.

In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-12-01), S. 3377-3384

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This paper summarizes and analyzes some of our previous works on the advanced gate stacks for CMOS transistors focused on the following two topics: 1. Frequency dependence of Dynamic Bias Temperature Instability (DBTI) and the transistor degradation mechanism, 2. A novel way for metal gate Effective Work Function (EWF) modulation by incorporation of lanthanum elements in HfO"2 gate dielectric.

Titel:	Some issues in advanced CMOS gate stack performance and reliability
Autor/in / Beteiligte Person:	Shen, C. ; Li, Ming-Fu ; Chen, J.D. ; Zhu, Chunxiang ; Yang, Jian-Jun ; Yu, Hongyu ; Huang, Daming ; Wang, X.P.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.08.013
Zeitschrift:	Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-12-01), S. 3377-3384
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2011
Medientyp:	unknown
ISSN:	0167-9317 (print)
DOI:	10.1016/j.mee.2009.08.013
Schlagwort:	Materials science business.industry Transistor Gate dielectric NAND gate Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics, and Optics Surfaces, Coatings and Films Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Reliability (semiconductor) CMOS Hardware_GENERAL Modulation law Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Optoelectronics Electrical and Electronic Engineering Metal gate business Gate equivalent Hardware_LOGICDESIGN
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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