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A 9 b/12 b 50 MS/s experimental ADC with continuous approximation architecture in 65 nm CMOS

Fan, Ye ; Junyan, Ren ; et al.
In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-10-01), S. 105003-105003
Online unknown

Titel:
A 9 b/12 b 50 MS/s experimental ADC with continuous approximation architecture in 65 nm CMOS
Autor/in / Beteiligte Person: Fan, Ye ; Junyan, Ren ; Xiaofeng, Guo
Link:
Zeitschrift: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-10-01), S. 105003-105003
Veröffentlichung: IOP Publishing, 2016
Medientyp: unknown
ISSN: 1674-4926 (print)
DOI: 10.1088/1674-4926/37/10/105003
Schlagwort:
  • Engineering
  • Continuous approximation
  • business.industry
  • 020208 electrical & electronic engineering
  • Electrical engineering
  • Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY
  • 02 engineering and technology
  • Condensed Matter Physics
  • 020202 computer hardware & architecture
  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Power (physics)
  • CMOS
  • Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS
  • 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering
  • Materials Chemistry
  • Electronic engineering
  • Shaping
  • Hardware_ARITHMETICANDLOGICSTRUCTURES
  • Electrical and Electronic Engineering
  • business
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE
  • Rights: CLOSED

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