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Enhancement of near-infrared detectability from InGaZnO thin film transistor with MoS2 light absorbing layer

Seung Kyo Lee ; Chu, Dongil ; et al.
In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-10-31), S. 475206-475206
Online unknown

Titel:
Enhancement of near-infrared detectability from InGaZnO thin film transistor with MoS2 light absorbing layer
Autor/in / Beteiligte Person: Seung Kyo Lee ; Chu, Dongil ; Da Ye Song ; Sang Woo Pak ; Eun Kyu Kim
Link:
Zeitschrift: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-10-31), S. 475206-475206
Veröffentlichung: IOP Publishing, 2017
Medientyp: unknown
ISSN: 1361-6528 (print) ; 0957-4484 (print)
DOI: 10.1088/1361-6528/aa9054
Schlagwort:
  • Materials science
  • Bioengineering
  • 02 engineering and technology
  • Photodetection
  • 01 natural sciences
  • chemistry.chemical_compound
  • Optics
  • 0103 physical sciences
  • General Materials Science
  • Electrical and Electronic Engineering
  • Molybdenum disulfide
  • 010302 applied physics
  • business.industry
  • Mechanical Engineering
  • Near-infrared spectroscopy
  • General Chemistry
  • Sputter deposition
  • 021001 nanoscience & nanotechnology
  • Amorphous solid
  • Wavelength
  • chemistry
  • Mechanics of Materials
  • Thin-film transistor
  • Optoelectronics
  • 0210 nano-technology
  • business
  • Layer (electronics)
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE
  • Rights: CLOSED

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