Variability of low frequency fluctuations in sub 45nm CMOS devices-Experiment, modeling and applications
Aristotle University of Thessaloniki, 2012
Online
unknown
Zugriff:
���� �������� ������ �������������� ������ ���������������� ������������������������ ������������������ ���������������������������� ������ ������������ ������ �������������� �������������� �������������������� ������ ������ ������������������������ ������ CMOS �������������������� 32 nm ������ ��������������������. �������������������� ������ ������������ �������������� �������������������� ������ ���������������������� ������������������ ���������������� 28nm ������ �������������� �������������������� ���� ���������������������� �������� ������������������, ���������������������� �������������������������� ������ ���������������� ������ ���������������������� ���������� ����������������. ������������, ������������������������ ������ ������������������ ������������������ ������ �������������� �������������� �������������������� ������ ���� ���������������������� ������������������ ���������������� (bulk) ������ �������������������� 12 ��������. ����������������, �������������������� ������ ���������������� ������ ������������������ ������ �������������������� ���������������� Coulomb ������ ������ �������������� �������������������� ������ ������������ ������ ���� ���������� ���������������� ������ �������� ������ ���������������������� ������ ������������ ��������������������. ���� �������������� ���������� ������ ������������������ ������������������������ ������ ������������ ������������ ������ ���������������������������� ������ �������������� �������������� ��������������������, ������ �������������������������������� ���� ���������������������� ������������������ ������ �������������� �������������� �������������������� ���� ���������� ���� ������ ������������������ ������ �������������������� ������ ������ ������������������������ ����������������������. ����������, ������ ���������� �������� �������������������������������� ������ �������������������� ������������ ������ ���� �������������������������� ������ �������������� �������������� �������������������� ���� ������������������ ������ ���������������� ���������������������� ������������������ ����������������. ���� ������������������ ���������� ���������� ������ ������������������ ���������� ������ ������������������ ������ �������������� �������������� �������������������� ������ ������ ������������������������ RTS ���� ���������� �������� ���������������������������� ������ ������ �������������������� ������ ���������������� ������������������ ��������������������. �� ���������������� ������ ������������������ ���������������������������� �������� ������ �������������� �������������������� ������������������������ ������ �������������������� ������ ���������������������� CMOS, ������ ������������������ ���� ������������ ������������������ ������ �������������������� SRAM, �������������������� ������ �������������� ���������� ������ ����������������.
��he research challenges and objectives of this thesis are centered towards the studies of low frequency fluctuations and noise in 32 nm CMOS technologies and beyond. More specifically, the objectives of the LF noise investigation is summarized in the following points: i) Detailed LF noise characterization of new CMOS technologies featuring high-�� metal gate stacks, channel pockets etc, ii) change of LF noise parameters from different technologies and iii) impact of LF noise and RTS fluctuations as a variability sources for analog and digital circuits. The first objective addresses the origin of the LF fluctuations in CMOS devices in terms of trap density and defect localization in the gate dielectric and along the channel for various architectures (pocket, Ge channel, FD-SOI etc). The second objective considers the LF noise variability resulting from huge dispersion of noise sources from device to device; this is conducted owing to statistical measurements of LF noise characteristics as a function of device area and technological splits. The third issue is focused on the impact of LF noise or RTS fluctuations on the operation of elementary circuits (inverter, SRAM cell) regarded as temporal variability source.
Titel: |
Variability of low frequency fluctuations in sub 45nm CMOS devices-Experiment, modeling and applications
|
---|---|
Link: | |
Veröffentlichung: | Aristotle University of Thessaloniki, 2012 |
Medientyp: | unknown |
DOI: | 10.26262/heal.auth.ir.133536 |
Schlagwort: |
|
Sonstiges: |
|