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Design to avoid the over-gate-driven effect on ESD protection circuits in deep-submicron CMOS processes

Ker, Ming-Dou ; Chen, Wen-Yi
In: SCS 2003. International Symposium on Signals, Circuits and Systems. Proceedings (Cat. No.03EX720), 2004-05-06
Online unknown

Titel:
Design to avoid the over-gate-driven effect on ESD protection circuits in deep-submicron CMOS processes
Autor/in / Beteiligte Person: Ker, Ming-Dou ; Chen, Wen-Yi
Link:
Zeitschrift: SCS 2003. International Symposium on Signals, Circuits and Systems. Proceedings (Cat. No.03EX720), 2004-05-06
Veröffentlichung: IEEE Comput. Soc, 2004
Medientyp: unknown
DOI: 10.1109/isqed.2004.1283714
Schlagwort:
  • Engineering
  • Electrostatic discharge
  • business.industry
  • Circuit design
  • Electrical engineering
  • Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY
  • Integrated circuit design
  • CMOS
  • Robustness (computer science)
  • Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS
  • Electronic engineering
  • business
  • NMOS logic
  • Hardware_LOGICDESIGN
  • Voltage
  • Electronic circuit
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE
  • Rights: OPEN

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