Stand-by Power Reduction Using Experimentally Demonstrated Nano-Electromechanical Switch in CMOS Technologies

Goel, Mayank ; Saha, Sumit ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 746-752

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In this article, we demonstrate a double-clamped nano-electromechanical switch (NEMS) with low stand-by power as an effective solution to the leakage issues in scaled CMOS-based power gating (PG) in logic circuits. The proposed NEMS structure is achieved to have a low pull-in (~1.2 V), low hysteresis ( ${T}_{\text{ON}}/{T}_{\text{OFF}} as compared to the sub 10-nm CMOS based PG.

Titel:	Stand-by Power Reduction Using Experimentally Demonstrated Nano-Electromechanical Switch in CMOS Technologies
Autor/in / Beteiligte Person:	Goel, Mayank ; Saha, Sumit ; Singh, Arpit ; Maryam Shojaei Baghini ; V. Ramgopal Rao
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext https://doi.org/10.1109/ted.2020.3041434
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 746-752
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021
Medientyp:	unknown
ISSN:	1557-9646 (print) ; 0018-9383 (print)
DOI:	10.1109/ted.2020.3041434
Schlagwort:	010302 applied physics Nanoelectromechanical systems Materials science Power gating business.industry Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY 01 natural sciences Electronic, Optical and Magnetic Materials Power (physics) Hysteresis CMOS Logic gate 0103 physical sciences Nano Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Optoelectronics Electrical and Electronic Engineering business Hardware_LOGICDESIGN Leakage (electronics)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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