A Push-push Dual-band Cross-coupled VCO in 90-nm CMOS Technology

Zhang, Zhijing

In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 1176 (2019-03-01), S. 062062-62062

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This paper presents a VHF dual-band cross-coupled voltage VCO with push-push structure. This is achieved by using the push-push structure and the binary-weighted capacitor. The circuit has been implemented in TSMC 90nm CMOS process with a core area about 800μm ×600μm. The measured fundamental and push-push output phase noise at 10MHz is-108.57 dBc/Hz and-98.43 dBc/Hz, with the tuning range covers 26.38 GHz～28.15 GHz and 52.76 GHz～56.30 GHz.

Titel:	A Push-push Dual-band Cross-coupled VCO in 90-nm CMOS Technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Zhang, Zhijing
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1088/1742-6596/1176/6/062062
Zeitschrift:	Journal of Physics: Conference Series, Jg. 1176 (2019-03-01), S. 062062-62062
Veröffentlichung:	IOP Publishing, 2019
Medientyp:	unknown
ISSN:	1742-6596 (print) ; 1742-6588 (print)
DOI:	10.1088/1742-6596/1176/6/062062
Schlagwort:	History Materials science business.industry dBc Computer Science Applications Education law.invention Cross coupled Capacitor Voltage-controlled oscillator CMOS law Phase noise Optoelectronics Multi-band device business Voltage
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: OPEN

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