High speed and high power performances of LTG-GaAs based TWPDs in telecommunication wavelength (∼1.3 μm)

Chen, Yen-Hung ; Bowers, John E. ; et al.

In: Summaries of Papers Presented at the Lasers and Electro-Optics. CLEO '02. Technical Diges, 2003-06-25

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Summary form only given. We demonstrate ultra-high speed and high saturation power performance of LTG-GaAs based MSM traveling-wave photodetectors (TWPDs) in the telecommunication wavelength regime (/spl sim/1300 nm). Due to the short carrier trapping time of the LTG-GaAs layer and the superior microwave guiding structure in MSM TWPDs, record ultra-high peak power bandwidth product performance has been obtained in long absorption length devices. These results suggest applications in low-cost GaAs based photo-receiver circuits without electrical pre-amplifiers and high power photomixer devices which are compatible with fiber optical communication components.

Titel:	High speed and high power performances of LTG-GaAs based TWPDs in telecommunication wavelength (∼1.3 μm)
Autor/in / Beteiligte Person:	Chen, Yen-Hung ; Bowers, John E. ; Shi, Jin-Wei ; Chiu, Yi-Jen ; Sun, Chi-Kuang ; Gan, Kian-Giap
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/cleo.2002.1033367
Zeitschrift:	Summaries of Papers Presented at the Lasers and Electro-Optics. CLEO '02. Technical Diges, 2003-06-25
Veröffentlichung:	Opt. Soc. America, 2003
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1109/cleo.2002.1033367
Schlagwort:	Materials science business.industry Optical communication Power bandwidth Photodetector Gallium arsenide Wavelength chemistry.chemical_compound Optics chemistry Optoelectronics Insertion loss Radio frequency business Telecommunications Microwave
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: OPEN

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