LLG Simulation of MRAM Switching Trajectories

Wang, S. ; Visscher, P. B.

In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 42 (2006-10-01), S. 3198-3200

Online unknown

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The simplest method for estimating switching rates, transition state theory (TST), badly overestimates the switching rate for common materials with low Landau-Lifshitz damping. By classifying and counting simulated switching trajectories, we show why this occurs: there are orbits that swing back and forth between the stable potential wells (and are counted as multiple switches by the TST) which are not real switches. We suggest methods for correcting the TST rate for this phenomenon, to correctly estimate the switching rate for MRAM and spin-torque systems

Titel:	LLG Simulation of MRAM Switching Trajectories
Autor/in / Beteiligte Person:	Wang, S. ; Visscher, P. B.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext https://doi.org/10.1109/tmag.2006.880152
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 42 (2006-10-01), S. 3198-3200
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2006
Medientyp:	unknown
ISSN:	0018-9464 (print)
DOI:	10.1109/tmag.2006.880152
Schlagwort:	Physics Magnetoresistive random-access memory Condensed matter physics Magnetization reversal Magnetic storage Swing Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Magnetization Transition state theory law Commutation Electrical and Electronic Engineering Magnetic switching
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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