Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation

V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.

In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), S. 181-191

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Titel:	Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation
Autor/in / Beteiligte Person:	V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1134/s106373972203012x
Zeitschrift:	Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), S. 181-191
Veröffentlichung:	Pleiades Publishing Ltd, 2022
Medientyp:	unknown
ISSN:	1608-3415 (print) ; 1063-7397 (print)
DOI:	10.1134/s106373972203012x
Schlagwort:	Materials Chemistry Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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