Investigation of InGaN p-i-n Homojunction and Heterojunction Solar Cells

Liang, Ming-Ming ; Chen, Bihua ; et al.

In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 25 (2013), S. 59-62

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InGaN p-i-n homojunction (HOJ) and heterojunction (HEJ) solar cells (SCs) with similar width of depletion region are investigated. Through comparison of both the material property and device performance, it is demonstrated that HEJ exhibits much better results than HOJ, indicating that HEJ is preferred for fabrication of InGaN SCs. Some suggestions are proposed for the development of InGaN SCs in the future.

Titel:	Investigation of InGaN p-i-n Homojunction and Heterojunction Solar Cells
Autor/in / Beteiligte Person:	Liang, Ming-Ming ; Chen, Bihua ; Zhang, Jiang-Yong ; Cai, Xiao-Mei ; Zhang, Baoping ; Ying, Lei-Ying ; Lv, Xueqin ; Yu, Wang ; Liu, Wenjie
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext https://doi.org/10.1109/lpt.2012.2227702
Zeitschrift:	IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 25 (2013), S. 59-62
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2013
Medientyp:	unknown
ISSN:	1941-0174 (print) ; 1041-1135 (print)
DOI:	10.1109/lpt.2012.2227702
Schlagwort:	Fabrication Materials science business.industry Doping Wide-bandgap semiconductor Heterojunction Gallium nitride Atomic and Molecular Physics, and Optics Electronic, Optical and Magnetic Materials chemistry.chemical_compound Depletion region chemistry Optoelectronics Electrical and Electronic Engineering Homojunction business Absorption (electromagnetic radiation)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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