Ultra low voltage static carry generate circuit

Berg, Yngvar

In: Proceedings of 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2010-05-01

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In this paper we present an ultra low-voltage static CMOS carry generate circuit. The circuit may operate at supply voltages below the inherent threshold voltage of the transistors while maintaining a current level of transistors operating in strong inversion. The circuit show an improved performance compared to standard CMOS in terms of delay. Preliminary results indicate a reduced delay to approximately 1/10 of a standard CMOS design. A 32 bit serial carry chain is simulated and the delay is compared to a traditional CMOS carry chain. Simulated data for a ST 90nm CMOS process are included.

Titel:	Ultra low voltage static carry generate circuit
Autor/in / Beteiligte Person:	Berg, Yngvar
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/iscas.2010.5537346
Zeitschrift:	Proceedings of 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2010-05-01
Veröffentlichung:	IEEE, 2010
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1109/iscas.2010.5537346
Schlagwort:	Engineering business.industry Transistor Electrical engineering Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY 32-bit law.invention Threshold voltage CMOS Hardware_GENERAL law Logic gate Low-power electronics Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Electronic engineering business Low voltage Hardware_LOGICDESIGN Voltage
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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