Terahertz radiation from narrow-gap semiconductors photoexcited by femtosecond laser pulses

Krotkus, Arunas ; Molis, G. ; et al.

In: Microelectronic Engineering, Jg. 81 (2005-08-01), S. 238-242

Online unknown

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Large increase of the emitted terahertz power has been observed for p-InAs samples with the p-doping levels of ~10^1^6-10^1^7cm^-^3. This increase was explained by a large surface depletion layer and an electric-field-induced optical rectification effect in the layer. Terahertz fields radiated by the samples of all three investigated Cd"xHg"1"-"xTe layers was of the same order of magnitude. No azimuthal angle dependence of the radiated signal was detected, what evidences that linear current surge effect is dominating over nonlinear optical rectification. Azimuthal angle and magnetic fields emission witness that it is caused by linear photo-Dember type processes.

Titel:	Terahertz radiation from narrow-gap semiconductors photoexcited by femtosecond laser pulses
Autor/in / Beteiligte Person:	Krotkus, Arunas ; Molis, G. ; Adomavičius, R. ; Urbanowicz, Andrzej
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.03.013
Zeitschrift:	Microelectronic Engineering, Jg. 81 (2005-08-01), S. 238-242
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2005
Medientyp:	unknown
ISSN:	0167-9317 (print)
DOI:	10.1016/j.mee.2005.03.013
Schlagwort:	Terahertz radiation business.industry Chemistry Physics::Optics Narrow-gap semiconductor Condensed Matter Physics Laser Atomic and Molecular Physics, and Optics Surfaces, Coatings and Films Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Magnetic field Optical rectification Optics Depletion region law Femtosecond Electrical and Electronic Engineering business Order of magnitude
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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