Mechanism Analysis of Off-Leakage Current in an LDD Poly-Si TFT Using Activation Energy

Kimura, M. ; Nakashima, A

In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-06-01), S. 764-766

Online unknown

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We have analyzed the mechanism of off-leakage current in an lightly doped drain (LDD) poly-Si thin-film transistor by investigating the activation energy Ea. It is found that Ea decreases as the gate and drain voltages increase. We have also discussed the mechanism using a device simulator. It is found that a hole channel is lightly formed in the LDD region, and a pseudo p-n junction appears at the junction between the LDD and drain regions. The aforementioned experimental behavior of Ea is because the electric field increases there. These results suggest that the off-leakage current is caused by the phonon-assisted tunneling with Poole-Frenkel effect at the junction between the LDD and drain regions.

Titel:	Mechanism Analysis of Off-Leakage Current in an LDD Poly-Si TFT Using Activation Energy
Autor/in / Beteiligte Person:	Kimura, M. ; Nakashima, A
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext https://doi.org/10.1109/led.2011.2132112
Zeitschrift:	IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-06-01), S. 764-766
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011
Medientyp:	unknown
ISSN:	1558-0563 (print) ; 0741-3106 (print)
DOI:	10.1109/led.2011.2132112
Schlagwort:	Materials science business.industry Transistor Doping Electrical engineering Poole–Frenkel effect Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Tunnel effect law Thin-film transistor Electric field Optoelectronics Electrical and Electronic Engineering business p–n junction Voltage
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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