Effect of a Low-Temperature Si Underlayer on the Photoluminescence of Misfit Dislocations in Si(001)Si1 − xGe x Heterostructures with Ge-Rich Alloy Layers

Akmaev, M. A. ; Burbaev, T. M.

In: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, Jg. 82 (2018-04-01), S. 409-411

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The effect a low-temperature Si underlayer has on the photoluminescence of misfit dislocations in Si(001)Si1 – xGe x heterostructures with high Ge contents in a SiGe alloy layer is investigated. It is found that the introduction of this layer prevents the formation of dislocations in the alloy layer.

Titel:	Effect of a Low-Temperature Si Underlayer on the Photoluminescence of Misfit Dislocations in Si(001)Si1 − xGe x Heterostructures with Ge-Rich Alloy Layers
Autor/in / Beteiligte Person:	Akmaev, M. A. ; Burbaev, T. M.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.3103/s1062873818040044
Zeitschrift:	Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, Jg. 82 (2018-04-01), S. 409-411
Veröffentlichung:	Allerton Press, 2018
Medientyp:	unknown
ISSN:	1934-9432 (print) ; 1062-8738 (print)
DOI:	10.3103/s1062873818040044
Schlagwort:	020210 optoelectronics & photonics Photoluminescence Materials science Condensed matter physics Alloy 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering engineering General Physics and Astronomy Heterojunction 02 engineering and technology engineering.material Layer (electronics)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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