Post‐deposition annealing and interfacial atomic layer deposition buffer layers of Sb 2 Se 3 /CdS stacks for reduced interface recombination and increased open‐circuit voltages

Thomas Paul Weiss ; Minguez‐Bacho, Ignacio ; et al.

In: Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Jg. 31 (2022-09-30), S. 203-219

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Titel:	Post‐deposition annealing and interfacial atomic layer deposition buffer layers of Sb 2 Se 3 /CdS stacks for reduced interface recombination and increased open‐circuit voltages
Autor/in / Beteiligte Person:	Thomas Paul Weiss ; Minguez‐Bacho, Ignacio ; Zuccalà, Elena ; Melchiorre, Michele ; Valle, Nathalie ; Brahime El Adib ; Yokosawa, Tadahiro ; Spiecker, Erdmann ; Bachmann, Julien ; Dale, Phillip J. ; Siebentritt, Susanne
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1002/pip.3625
Zeitschrift:	Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Jg. 31 (2022-09-30), S. 203-219
Veröffentlichung:	Wiley, 2022
Medientyp:	unknown
ISSN:	1099-159X (print) ; 1062-7995 (print)
DOI:	10.1002/pip.3625
Schlagwort:	Renewable Energy, Sustainability and the Environment Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: OPEN

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