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Strong electroluminescence from direct band and defects in Ge n+/p shallow junctions at room temperature

Jin, Chunyan ; Chen, Songyan ; et al.
In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-05-09), S. 191107-191107
Online unknown

Titel:
Strong electroluminescence from direct band and defects in Ge n+/p shallow junctions at room temperature
Autor/in / Beteiligte Person: Jin, Chunyan ; Chen, Songyan ; Wang, Chen ; Huang, Wei ; Lai, Hongkai ; Li, Cheng ; Chen, Chaowen ; Huang, Zhiwei ; Sun, Jiaming ; Lin, Guangyang
Link:
Zeitschrift: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-05-09), S. 191107-191107
Veröffentlichung: AIP Publishing, 2016
Medientyp: unknown
ISSN: 1077-3118 (print) ; 0003-6951 (print)
DOI: 10.1063/1.4949532
Schlagwort:
  • 010302 applied physics
  • Photoluminescence
  • Materials science
  • Physics and Astronomy (miscellaneous)
  • business.industry
  • Doping
  • Analytical chemistry
  • chemistry.chemical_element
  • Germanium
  • 02 engineering and technology
  • Atmospheric temperature range
  • Electroluminescence
  • 021001 nanoscience & nanotechnology
  • 01 natural sciences
  • Crystallographic defect
  • Ion implantation
  • chemistry
  • 0103 physical sciences
  • Optoelectronics
  • 0210 nano-technology
  • business
  • Luminescence
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE

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