Low-power PHEMT MMIC LNA for C-band applications

Choi Byeong Geon ; You Sang Lee ; et al.

In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 48 (2005), S. 253-255

Online unknown

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We report on design and performance of a low-power-consuming two-stage MMIC LNA using AlGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with 0.25-μm T-gates. The MMIC LNA showing a noise figure of 2.55 dB with 17-dB associated gain at 5.8 GHz consumes only 18 mW, which is the lowest value of power consumption ever reported to date from PHEMT MMIC LNAs around this frequency range, and is attributed to the optimization of the gate width and current, as well as the use of a circuit with a single current path. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. Microwave Opt Technol Lett 48:253–255, 2006; Published Online in Wiley InterScience (www.interscience.wiley.com) DOI 10.1002/mop.21320

Titel:	Low-power PHEMT MMIC LNA for C-band applications
Autor/in / Beteiligte Person:	Choi Byeong Geon ; You Sang Lee ; Chul Soon Park ; Jong Seol Yuk ; Kang, Sukhoon
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1002/mop.21320
Zeitschrift:	Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 48 (2005), S. 253-255
Veröffentlichung:	Wiley, 2005
Medientyp:	unknown
ISSN:	1098-2760 (print) ; 0895-2477 (print)
DOI:	10.1002/mop.21320
Schlagwort:	Engineering business.industry C band Electrical engineering High-electron-mobility transistor Condensed Matter Physics Noise figure Low-noise amplifier Atomic and Molecular Physics, and Optics Electronic, Optical and Magnetic Materials Power (physics) Power consumption Electrical and Electronic Engineering business Monolithic microwave integrated circuit Microwave
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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