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Ultrathin gate oxide with a reduced transition layer grown by plasma-assisted oxidation

Moon, D. W. ; Moon, J. T. ; et al.
In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-08-09), S. 988-990
Online unknown

Titel:
Ultrathin gate oxide with a reduced transition layer grown by plasma-assisted oxidation
Autor/in / Beteiligte Person: Moon, D. W. ; Moon, J. T. ; Jung, U-In ; Hong, Soo-jin ; Mann Ho Cho ; Buh, G. H. ; Hyo Sik Chang ; Shin, Y. G. ; Koo, Bonwon ; Hyun, S.
Link:
Zeitschrift: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-08-09), S. 988-990
Veröffentlichung: AIP Publishing, 2004
Medientyp: unknown
ISSN: 1077-3118 (print) ; 0003-6951 (print)
DOI: 10.1063/1.1779353
Schlagwort:
  • chemistry.chemical_compound
  • Materials science
  • Physics and Astronomy (miscellaneous)
  • X-ray photoelectron spectroscopy
  • chemistry
  • Photoemission spectroscopy
  • Gate oxide
  • Oxide
  • Analytical chemistry
  • Equivalent oxide thickness
  • Plasma
  • Thin film
  • Graphene oxide paper
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE

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