A simple method to determine the floating-body voltage of SOI CMOS devices

Imam, Mohamed A. ; Osman, Ashraf A. ; et al.

In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000), S. 21-23

Online unknown

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A technique to extract the off-state floating-body (FB) voltage of silicon-on-insulator (SOI) CMOS devices is presented. The bias dependent S-parameter measurements of a single standard FB SOI device and its equivalent circuit, along with the capacitance-voltage (C-V) measurements between the drain and source of the same device, are used to determine the FB voltage. No special test structure design is needed. The technique proposes a method for the extraction of the parasitic source, drain, and gate resistances. Using the technique, FB voltage in excess of 0.4 V is measured in a partially depicted (PD) NMOS device at drain voltage of 2.5 V and zero gate voltage.

Titel:	A simple method to determine the floating-body voltage of SOI CMOS devices
Autor/in / Beteiligte Person:	Imam, Mohamed A. ; Osman, Ashraf A. ; Osman, Mohamed A. ; Fu, Hua
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext https://doi.org/10.1109/55.817440
Zeitschrift:	IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000), S. 21-23
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2000
Medientyp:	unknown
ISSN:	1558-0563 (print) ; 0741-3106 (print)
DOI:	10.1109/55.817440
Schlagwort:	Materials science business.industry Electrical engineering Silicon on insulator Drain-induced barrier lowering Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY Electronic, Optical and Magnetic Materials CMOS MOSFET Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Equivalent circuit Electrical and Electronic Engineering business NMOS logic AND gate Hardware_LOGICDESIGN Voltage
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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