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Toward the predictive discovery of ambipolarly dopable ultra-wide-band-gap semiconductors: The case of rutile GeO2

Bushick, Kyle ; Sanders, Nocona ; et al.
In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-06-28), S. 260501-260501
Online unknown

Titel:
Toward the predictive discovery of ambipolarly dopable ultra-wide-band-gap semiconductors: The case of rutile GeO2
Autor/in / Beteiligte Person: Bushick, Kyle ; Sanders, Nocona ; Mi, Zetian ; Heron, John T. ; Chae, Sieun ; Poudeu, Pierre F. P. ; Mengle, Kelsey ; Deng, Zihao ; Kioupakis, Emmanouil ; Lee, Jihang ; Paik, Hanjong
Link:
Zeitschrift: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-06-28), S. 260501-260501
Veröffentlichung: AIP Publishing, 2021
Medientyp: unknown
ISSN: 1077-3118 (print) ; 0003-6951 (print)
DOI: 10.1063/5.0056674
Schlagwort:
  • 010302 applied physics
  • Materials science
  • Physics and Astronomy (miscellaneous)
  • business.industry
  • Band gap
  • Ambipolar diffusion
  • Doping
  • 02 engineering and technology
  • 021001 nanoscience & nanotechnology
  • 01 natural sciences
  • Engineering physics
  • Semiconductor
  • CMOS
  • Power electronics
  • 0103 physical sciences
  • Thin film
  • 0210 nano-technology
  • business
  • Molecular beam epitaxy
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE
  • Rights: OPEN

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