Ultra-Low-Power Differential ISFET/REFET Readout Circuit

Sirimasakul, Silar ; Thanachayanont, Apinunt

In: ETRI Journal, Jg. 31 (2009-04-09), S. 243-245

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A novel ultra-low-power readout circuit for a pH-sensitive ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) is proposed. It uses an ISFET/reference FET (REFET) differential pair operating in weak-inversion and a simple current-mode metal-oxide semiconductor FET (MOSFET) translinear circuit. Simulation results verify that the circuit operates with excellent common-mode rejection ability and good linearity for a single pH range from 4 to 10, while only 4 nA is drawn from a single 1 V supply voltage.

Titel:	Ultra-Low-Power Differential ISFET/REFET Readout Circuit
Autor/in / Beteiligte Person:	Sirimasakul, Silar ; Thanachayanont, Apinunt
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.4218/etrij.09.0208.0368
Zeitschrift:	ETRI Journal, Jg. 31 (2009-04-09), S. 243-245
Veröffentlichung:	Wiley, 2009
Medientyp:	unknown
ISSN:	1225-6463 (print)
DOI:	10.4218/etrij.09.0208.0368
Schlagwort:	Materials science General Computer Science business.industry Transistor Electrical engineering Linearity Translinear circuit Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Semiconductor CMOS law MOSFET Electrical and Electronic Engineering ISFET business Voltage
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: OPEN

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