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Analytical modeling of subthreshold characteristics of ion-implanted symmetric double gate junctionless field effect transistors

Jit, Satyabrata ; Singh, Balraj ; et al.
In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 58 (2017-02-01), S. 82-88
Online unknown

Titel:
Analytical modeling of subthreshold characteristics of ion-implanted symmetric double gate junctionless field effect transistors
Autor/in / Beteiligte Person: Jit, Satyabrata ; Singh, Balraj ; Goel, Ekta ; Singh, Kunal ; Gola, Deepti ; Kumar, Sanjay
Link:
Zeitschrift: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 58 (2017-02-01), S. 82-88
Veröffentlichung: Elsevier BV, 2017
Medientyp: unknown
ISSN: 1369-8001 (print)
DOI: 10.1016/j.mssp.2016.10.051
Schlagwort:
  • 010302 applied physics
  • Materials science
  • business.industry
  • Subthreshold conduction
  • Mechanical Engineering
  • Doping
  • Nanotechnology
  • 02 engineering and technology
  • 021001 nanoscience & nanotechnology
  • Condensed Matter Physics
  • 01 natural sciences
  • Subthreshold slope
  • Ion
  • Mechanics of Materials
  • Subthreshold swing
  • 0103 physical sciences
  • Optoelectronics
  • Inverter
  • General Materials Science
  • Double gate
  • Field-effect transistor
  • 0210 nano-technology
  • business
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE
  • Rights: CLOSED

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