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Surface properties of AlInGaN/GaN heterostructure

Kneissl, Michael ; Heuken, Michael ; et al.
In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 55 (2016-11-01), S. 26-31
Online unknown

Titel:
Surface properties of AlInGaN/GaN heterostructure
Autor/in / Beteiligte Person: Kneissl, Michael ; Heuken, Michael ; Cavalcoli, Daniela ; Vogt, Patrick ; Minj, Albert ; Giesen, C. ; Cros, Ana ; Skuridina, D. ; Minj, A ; Cavalcoli, D. ; Cros, A. ; Vogt, P. ; Kneissl, M. ; Heuken, M.
Link:
Zeitschrift: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 55 (2016-11-01), S. 26-31
Veröffentlichung: Elsevier BV, 2016
Medientyp: unknown
ISSN: 1369-8001 (print)
DOI: 10.1016/j.mssp.2016.04.005
Schlagwort:
  • Materials science
  • chemistry.chemical_element
  • Condensed Matter Physic
  • 02 engineering and technology
  • Kelvin probe force microscopy
  • 01 natural sciences
  • Oxygen
  • law.invention
  • Barrier layer
  • law
  • 0103 physical sciences
  • Microscopy
  • Mechanics of Material
  • General Materials Science
  • Scanning tunneling microscopy
  • Spectroscopy
  • 010302 applied physics
  • V-defect
  • business.industry
  • Mechanical Engineering
  • Heterojunction
  • AlInGaN/GaN
  • Ciència dels materials
  • 021001 nanoscience & nanotechnology
  • Condensed Matter Physics
  • Microscòpia
  • chemistry
  • Mechanics of Materials
  • Chemisorption
  • Optoelectronics
  • Materials Science (all)
  • Scanning tunneling microscope
  • 0210 nano-technology
  • business
  • Volta potential
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: OpenAIRE
  • File Description: ELETTRONICO
  • Rights: OPEN

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