Ka-Band TDD Front-End with Gate Shunt Switched Cascode LNA and Three-Stack PA on 22nm FDSOI CMOS Technology

Aikio, Janne P. ; Hietanen, Mikko ; et al.

In: 2020 50th European Microwave Conference (EuMC), 2021-01-12

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TDD Ka-band front-end with integrated switch on 22nm FDSOI CMOS technology is implemented for 5G NR at 24–28 GHz bands. Shunt switch technique reduces front-end performance only by 2 dB at 24 GHz compared to stand-alone reference amplifiers. Output power of TX with stacked PA is 13.6 dBm with 15 dB of peak gain, and RX front-end has 5dB noise figure at 24 GHz, both measured at the antenna port. Maximum average channel power at 28 GHz was 4.8 dBm with 100 MHz 64-QAM OFDM signal within 5G ACPR and EVM specifications. The PA and LNA amplifiers dissipate 183 mW and 4.6 mW from 2.8V and 0.8V supplies, respectively, occupying only 0.19mm2.

Titel:	Ka-Band TDD Front-End with Gate Shunt Switched Cascode LNA and Three-Stack PA on 22nm FDSOI CMOS Technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Aikio, Janne P. ; Hietanen, Mikko ; Tervo, Nuutti ; Parssinen, Aarno ; Rusanen, Jere ; Rahkonen, Timo
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.23919/eumc48046.2021.9338230
Zeitschrift:	2020 50th European Microwave Conference (EuMC), 2021-01-12
Veröffentlichung:	IEEE, 2021
Medientyp:	unknown
DOI:	10.23919/eumc48046.2021.9338230
Schlagwort:	Materials science business.industry Amplifier 020208 electrical & electronic engineering 020206 networking & telecommunications Topology (electrical circuits) Port (circuit theory) 02 engineering and technology CMOS, LNA, mmWave, PA, SOI, TDD Noise figure CMOS 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering Optoelectronics Ka band Cascode Antenna (radio) business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE File Description: application/pdf Rights: OPEN

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