On the use of DC measurements for ESD-related process monitoring

Luchies, J.R.M. ; Luchies, Jan Marc ; et al.

In: Quality and reliability engineering international, Jg. 9 (1993), Heft 4, S. 309-313

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DC measurements and transmission line method measurements have been carried out on field oxide NMOSTs made in a 0-8 m CMOS process. Analysis shows that DC measurements can be applied for fast ESD related feedback to submicron process development.

Titel:	On the use of DC measurements for ESD-related process monitoring
Autor/in / Beteiligte Person:	Luchies, J.R.M. ; Luchies, Jan Marc ; Kuper, F.G. ; Verweij, J.F. ; Verweij, Jan
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1002/qre.4680090412
Zeitschrift:	Quality and reliability engineering international, Jg. 9 (1993), Heft 4, S. 309-313
Veröffentlichung:	1993
Medientyp:	unknown
ISSN:	0748-8017 (print)
DOI:	10.1002/qre.4680090412
Schlagwort:	Engineering business.industry Process development ESD modelling Process (computing) Transmission line method TLM Semiconductor device Management Science and Operations Research Field oxide METIS-112034 Reliability (semiconductor) Transmission line IR-71000 Electronic engineering Second breakdown Electric discharge Safety, Risk, Reliability and Quality Cmos process business ESD Semiconductor devices
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE File Description: application/pdf Rights: OPEN

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