Growth of zinc-blende GaN on muscovite mica by molecular beam epitaxy
In: Nanotechnology Nanotechnology, Institute of Physics, 2021, 32 (2), pp.025601. ⟨10.1088/1361-6528/abb6a5⟩ Nanotechnology, 2021, 32 (2), pp.025601. ⟨10.1088/1361-6528/abb6a5⟩; (2021-01-08)
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The mechanisms of plasma-assisted molecular beam epitaxial growth of GaN on muscovite mica were investigated. Using a battery of techniques, including scanning and transmission electron microscopy, atomic force microscopy, cathodoluminescence, Raman spectroscopy and x-ray diffraction, it was possible to establish that, in spite of the lattice symmetry mismatch, GaN grows in epitaxial relationship with mica, with the [11–20] GaN direction parallel to [010] direction of mica. GaN layers could be easily detached from the substrate via the delamination of the upper layers of the mica itself, discarding the hypothesis of a van der Waals growth mode. Mixture of wurtzite (hexagonal) and zinc blende (ZB) (cubic) crystallographic phases was found in the GaN layers with ratios highly dependent on the growth conditions. Interestingly, almost pure ZB GaN epitaxial layers could be obtained at high growth temperature, suggesting the existence of a specific GaN nucleation mechanism on mica and opening a new way to the growth of the thermodynamically less stable ZB GaN phase.
Titel: |
Growth of zinc-blende GaN on muscovite mica by molecular beam epitaxy
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Autor/in / Beteiligte Person: | Vermeersch, Rémy ; Bellet-Amalric, Edith ; Garro, Núria ; Feldberg, Nathaniel ; Donatini, Fabrice ; Cros, Ana ; Gayral, Bruno ; Rouvière, Jean-Luc ; Bougerol, Catherine ; Garcia-Orrit, Saül ; Daudin, Bruno ; Maria José Recio Carretero ; Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC) ; Institut Néel (NEEL) ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ) ; Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ) ; Université Grenoble Alpes (UGA) ; PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS) ; Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG) ; Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA) ; Optique & Microscopies (NEEL - POM) ; Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC) ; Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM) ; Institut Universitari de Ciencia dels Materials (ICMUV) ; Universitat de València (UV) |
Link: | |
Quelle: | Nanotechnology Nanotechnology, Institute of Physics, 2021, 32 (2), pp.025601. ⟨10.1088/1361-6528/abb6a5⟩ Nanotechnology, 2021, 32 (2), pp.025601. ⟨10.1088/1361-6528/abb6a5⟩; (2021-01-08) |
Veröffentlichung: | HAL CCSD, 2021 |
Medientyp: | unknown |
ISSN: | 0957-4484 (print) ; 1361-6528 (print) |
Schlagwort: |
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