Physics-Based Analytical Formulation of the Soft Error Rate in CMOS Circuits

Autran, Jean-Luc ; Munteanu, Daniela ; et al.

In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-05-01), S. 782-791

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International audience; The exponential dependence of the soft-error rate (SER) with critical charge in CMOS circuits, empirically proposed by Hazucha and Svensson, is derived in the framework of the diffusion-collection approach. A full analytical formulation is established, linking the SER with physical and technological parameters, notably the circuit supply voltage, carrier diffusion coefficient and ion characteristics.

Titel:	Physics-Based Analytical Formulation of the Soft Error Rate in CMOS Circuits
Autor/in / Beteiligte Person:	Autran, Jean-Luc ; Munteanu, Daniela ; Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP) ; Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext https://doi.org/10.1109/tns.2023.3263106
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-05-01), S. 782-791
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023
Medientyp:	unknown
ISSN:	1558-1578 (print) ; 0018-9499 (print)
DOI:	10.1109/tns.2023.3263106
Schlagwort:	static random access memory (SRAM) Nuclear and High Energy Physics soft error rate (SER) fin field-effect transistor (FinFET) collection–diffusion criti- cal charge single event effects CMOS technologies planar transistor numerical simula- tion Nuclear Energy and Engineering radiation effects [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Electrical and Electronic Engineering
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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