Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures

Golovanov, V. ; Ivanovskaya, M. ; et al.

In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-08-20), S. 083512-83512

Online unknown

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Specific electronic features have been found in structures consisting of metal oxide layers on silicon substrates upon swift heavy ion irradiation. These features are linked to the appearance of radiation-induced negative differential resistances in the structures. In the reversed bias direction they show high frequency current pulsations at around ∼10kHz frequency. Their amplitude increases with increasing applied voltage. The pulsation frequency also shows a small increase. The current amplitude depends on the ion fluence and flux.

Titel:	Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures
Autor/in / Beteiligte Person:	Golovanov, V. ; Ivanovskaya, M. ; Chandra, Amita ; Fink, Dietmar ; Fuks, David ; A. de O. D. Silva ; Khirunenko, L. ; M. de A. Rizutto ; Tabacnics, M. ; Kiv, Arnold E.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1063/1.2773950
Zeitschrift:	Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-08-20), S. 083512-83512
Veröffentlichung:	AIP Publishing, 2007
Medientyp:	unknown
ISSN:	1077-3118 (print) ; 0003-6951 (print)
DOI:	10.1063/1.2773950
Schlagwort:	Materials science Physics and Astronomy (miscellaneous) Silicon Astrophysics::High Energy Astrophysical Phenomena Oxide Analytical chemistry chemistry.chemical_element Molecular physics TRANSISTORES chemistry.chemical_compound Swift heavy ion Amplitude chemistry Electrical resistivity and conductivity Irradiation Electric potential Voltage
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: OPEN

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