Correction to 'Broadband Terahertz Power Detectors Based on 90-nm Silicon CMOS Transistors With Flat Responsivity Up to 2.2 THz' [Sep 18 1413-1416]

Lisauskas, Alvydas ; Roskos, Hartmut G. ; et al.

In: IEEE Electron Device Letters, 2019

Online unknown

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In the above paper [1] , the footnote acknowledges financial support received from the Research Council of Lithuania with wrong project number. The statement “This work was supported by the Research Council of Lithuania under contract TAP LZ-06/2015, …” should be read as “This work was supported by the Research Council of Lithuania under contract LAT-04/2016, …”.

Titel:	Correction to 'Broadband Terahertz Power Detectors Based on 90-nm Silicon CMOS Transistors With Flat Responsivity Up to 2.2 THz' [Sep 18 1413-1416]
Autor/in / Beteiligte Person:	Lisauskas, Alvydas ; Roskos, Hartmut G. ; Krozer, Viktor ; Bauer, Maris ; Cibiraite, Dovile ; Ikamas, Kestutis
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext
Zeitschrift:	IEEE Electron Device Letters, 2019
Veröffentlichung:	2019
Medientyp:	unknown
ISSN:	0741-3106 (print)
DOI:	10.1109/LED.2018.2889431
Schlagwort:	010302 applied physics Silicon business.industry Computer science Terahertz radiation Detector Transistor Electrical engineering chemistry.chemical_element 01 natural sciences Electronic, Optical and Magnetic Materials Power (physics) law.invention Responsivity CMOS chemistry law 0103 physical sciences Broadband Electrical and Electronic Engineering business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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