High performance CPW and microstrip ring resonators on silicon substrates

Chen, C. C. ; Hung, B.F. ; et al.

In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 42 (2004), S. 511-514

Online unknown

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High performance CPW and novel microstrip ring resonators at ∼30 GHz and 40 GHz have been fabricated on Si substrates, using an optimized proton-implantation process. Very good insertion loss and resonator characteristics, close to those from ideal electro-magnetic simulations, were measured. In contrast, the ring resonators on VLSI-standard Si, without implantation, have worse transmission and reflection loss, thus prohibiting applications in RF circuits. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. Microwave Opt Technol Lett 42: 511–514, 2004; Published online in Wiley InterScience (www.interscience.wiley.com). DOI 10.1002/mop.20353

Titel:	High performance CPW and microstrip ring resonators on silicon substrates
Autor/in / Beteiligte Person:	Chen, C. C. ; Hung, B.F. ; Chin, Albert ; McAlister, S.P.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1002/mop.20353
Zeitschrift:	Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 42 (2004), S. 511-514
Veröffentlichung:	Wiley, 2004
Medientyp:	unknown
ISSN:	1098-2760 (print) ; 0895-2477 (print)
DOI:	10.1002/mop.20353
Schlagwort:	Materials science Silicon business.industry Reflection loss Electrical engineering chemistry.chemical_element Condensed Matter Physics Ring (chemistry) Atomic and Molecular Physics, and Optics Microstrip Electronic, Optical and Magnetic Materials Resonator chemistry Insertion loss Optoelectronics Electrical and Electronic Engineering business Microwave Electronic circuit
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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