Growth of vertical and defect free InP nanowires on SrTiO3(001) substrate and comparison with growth on silicon

Saint-Girons, Guillaume ; Penuelas, Jose ; et al.

In: Journal of Crystal Growth, Jg. 343 (2012-03-01), S. 101-104

Online unknown

Zugriff:

We present a study of the molecular beam epitaxy of InP nanowires (NWs) on (001) oriented SrTiO 3 (STO) substrates using vapor liquid solid mechanism and gold–indium as metal catalyst. The growth direction of InP NWs grown on STO(001) is compared with NWs grown on (001) and (111) oriented silicon substrates. Gold–indium dewetting under a flux of indium results in the majority of InP NWs growing vertically from the surface of STO(001). With the growth parameters we have used the NWs have a pure wurtzite structure and are free of stacking faults and cubic segments. The structural quality of the NWs is confirmed by micro-photoluminescence measurements showing a narrow peak linewidth of 6.5 meV.

Titel:	Growth of vertical and defect free InP nanowires on SrTiO3(001) substrate and comparison with growth on silicon
Autor/in / Beteiligte Person:	Saint-Girons, Guillaume ; Penuelas, Jose ; Hocevar, Moïra ; Dumont, H. ; Patriarche, Gilles ; Gendry, Michel ; Naji, K. ; Zwiller, Val ; INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N) ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE) ; Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN) ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Delft University of Technology (TU Delft) ; École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.12.062
Zeitschrift:	Journal of Crystal Growth, Jg. 343 (2012-03-01), S. 101-104
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2012
Medientyp:	unknown
ISSN:	0022-0248 (print)
DOI:	10.1016/j.jcrysgro.2011.12.062
Schlagwort:	Materials science Silicon Stacking Nanowire chemistry.chemical_element Nanotechnology 02 engineering and technology Substrate (electronics) 01 natural sciences Inorganic Chemistry 0103 physical sciences Materials Chemistry Dewetting [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat] ComputingMilieux_MISCELLANEOUS Wurtzite crystal structure [PHYS]Physics [physics] 010302 applied physics business.industry 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics chemistry [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] Optoelectronics 0210 nano-technology business Indium Molecular beam epitaxy
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.