Polarity conversion of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
In: Applied Physics Letters Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 114 (17), pp.172101. ⟨10.1063/1.5094627⟩ Applied Physics Letters, 2019, 114 (17), pp.172101. ⟨10.1063/1.5094627⟩; (2019-04-29)
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International audience; It is demonstrated that the N-polarity of GaN nanowires (NWs) spontaneously nucleated on Si (111) by molecular beam epitaxy can be reversed by intercalation of an Al-or Ga-oxynitride thin layer. The polarity change has been assessed by a combination of chemical etching, Kelvin probe force microscopy, cathodo-and photoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy experiments. Cathodoluminescence of the Ga-polar NW section exhibits a higher intensity in the band edge region, consistent with a reduced incorporation of chemical impurities. The polarity reversal method we propose opens the path to the integration of optimized metal-polar NW devices on any kind of substrates.
| Titel: |
Polarity conversion of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
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| Autor/in / Beteiligte Person: | Jacopin, Gwénolé ; Rouvière, Jean-Luc ; Daudin, Bruno ; Cros, Ana ; Garro, Núria ; Concordel, Alexandre ; Gayral, Bruno ; Semi-conducteurs à large bande interdite (SC2G ) ; Institut Néel (NEEL) ; Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) ; Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC) ; PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS) ; Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG) ; Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) ; Univ Valencia, Inst Ciencia Mat, E-46980 Paterna, Valencia, Spain ; Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA ) ; Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM) ; Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) ; Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) ; Semi-conducteurs à large bande interdite (NEEL - SC2G) ; Universitat Politècnica de València (UPV) |
| Link: | |
| Quelle: | Applied Physics Letters Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 114 (17), pp.172101. ⟨10.1063/1.5094627⟩ Applied Physics Letters, 2019, 114 (17), pp.172101. ⟨10.1063/1.5094627⟩; (2019-04-29) |
| Veröffentlichung: | HAL CCSD, 2019 |
| Medientyp: | unknown |
| ISSN: | 0003-6951 (print) |
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| Sonstiges: |
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