Low-temperature LPE growth and characterization of InGaAsN thick layers

Vitanov, Petko ; Popov, G. ; et al.

In: Energy Procedia, Jg. 10 (2011), S. 220-224

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This work demonstrates the possibility for low-temperature Liquid-Phase Epitaxy (LPE) growth of lattice matched to GaAs substrate dilute nitride InGaAsN layers with good crystalline quality and high Hall electron mobility. X-ray microanalysis and X-ray diffraction methods have been used to determine the composition and crystalline quality of the grown InGaAsN layers. Surface roughness is examined by atomic force microscopy. N-related local vibration modes are observed by Raman scattering. The Hall electron mobility and free carrier concentration have been measured in the temperature range 80-300K by conventional Van der Pauw method.

Titel:	Low-temperature LPE growth and characterization of InGaAsN thick layers
Autor/in / Beteiligte Person:	Vitanov, Petko ; Popov, G. ; Sendova-Vassileva, M. ; Koleva, G. ; Milanova, M.
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Zeitschrift:	Energy Procedia, Jg. 10 (2011), S. 220-224
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2011
Medientyp:	unknown
ISSN:	1876-6102 (print)
DOI:	10.1016/j.egypro.2011.10.181
Schlagwort:	Diffraction Electron mobility Materials science Analytical chemistry Nitride Atmospheric temperature range dilute nitrides Epitaxy Condensed Matter::Materials Science symbols.namesake Van der Pauw method Energy(all) solar cells InGaAsN Surface roughness symbols LPE Raman scattering
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: OPEN

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