CMOS technologijos, maskuojant silicio nitridu, kokybė
2005
Online
unknown
Zugriff:
Išnagrinėtos lokalinės silicio oksidacijos pagrindinės problemos CMOS struktūroje, susijusios su maskuojančiaisiais Si3N4 ir SiO2 sluoksniais, oksidacijos trukme, temperatūra. CMOS struktūros kokybę daugiausia lemia ištakos ir santakos kanalo sutrumpėjimas bei difuzinių sričių persislinkimas LOCOS metu. Programa SUPREM IV atliktas LOCOS CMOS technologinio proceso režimo modeliavimas. Nustatyta, kad geriausi rezultatai gaunami, kai oksidacijos trukmė t=360 min, temperatūra T=1000 ºC, SiO2 storis – 0,02 µm, Si3N4 storis – 0,1 µm.
Problems of technology LOCOS, related with oxidation time, temperature, silicon oxide layer, patterned silicon nitride in CMOS structure was researched. During LOCOS most CMOS quality depend on gate channel shortening, diffusion region separation. LOCOS CMOS mathematical models are created using program SUPREM. It is determined, that most acceptable results are received when time t=360 min., temperature T=1000ºC, SiO2 thickness = 0,02 µm., Si3N4 thickness = 0,1 µm.
Titel: |
CMOS technologijos, maskuojant silicio nitridu, kokybė
|
---|---|
Autor/in / Beteiligte Person: | Anilionis, R. ; Andriukaitis, D. ; Keršys, T. ; Kauno technologijos universitetas |
Link: | |
Veröffentlichung: | 2005 |
Medientyp: | unknown |
Sonstiges: |
|