Design of P-Type Cladding Layers for Tunnel-Injected UVA Light Emitting Diodes

Zhang, Yuewei ; Krishnamoorthy, Sriram ; et al.

2016

Online report

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We discuss the engineering of p-AlGaN cladding layers for achieving efficient tunnel-injected III-Nitride ultraviolet light emitting diodes (UV LEDs) in the UV-A spectral range. We show that capacitance-voltage measurements can be used to estimate the compensation and doping in p-AlGaN layers located between the multi-quantum well region and the tunnel junction layer. By increasing the p-type doping concentration to overcome the background compensation, on-wafer external quantum efficiency and wall-plug efficiency of 3.37% and 1.62% were achieved for tunnel-injected UV LEDs emitting at 325 nm. We also show that interband tunneling hole injection can be used to realize UV LEDs without any acceptor doping. The work discussed here provides new understanding of hole doping and transport in AlGaN-based UV LEDs, and demonstrates the excellent performance of tunnel-injected LEDs for the UV-A wavelength range.

Comment: 9 pages, 5 figures

Titel:	Design of P-Type Cladding Layers for Tunnel-Injected UVA Light Emitting Diodes
Autor/in / Beteiligte Person:	Zhang, Yuewei ; Krishnamoorthy, Sriram ; Akyol, Fatih ; Allerman, Andrew A. ; Moseley, Michael W. ; Armstrong, Andrew M. ; Rajan, Siddharth
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Veröffentlichung:	2016
Medientyp:	report
DOI:	10.1063/1.4967698
Schlagwort:	Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics Condensed Matter - Materials Science Physics - Instrumentation and Detectors Physics - Optics
Sonstiges:	Nachgewiesen in: arXiv Collection: Condensed Matter ; Physics (Other) Document Type: Working Paper

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