Low size dispersion of InAs quantum islands emitting at 1.55μm on InP (001)
In: Conference Proceedings ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02353255 ; Conference Proceedings, 2002, Paris, France. pp.565-568, ⟨10.1109/ICIPRM.2002.1014491⟩, 2002
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International audience ; We show that the size dispersion of InAs/InP(00l) quantum islands emitting at 1.S5μm can be reduced through the optimization of SSMBE growth parameters. In optimized growth conditions, i.e. high Tc ~520°C and low P As = 2 10 -6 torr leading to a 2D/3D growth mode transition measured by WEED at 1.8 ML, photoluminescence spectra with a FWHMs as low as 68meV at 300K have been obtained for a 4ML InSa deposit. Photoluminescence measurements as a function of the excitation power show that the multi-component PL spectra can be understood in terms of fundamental and excited levels of InAs islands. The fundamental peak (FWHM equal to 22meV at 8K) reveals a very low island size dispersion. Plane-view TEM and AFM images show that InAs islands are quantum << sticks >> aligned along [1-10], with flat top surfaces. Cross-section TEM imaging shows a very weak height dispersion attributed to the ability of the InAs/InP(00l) system to allow island height variation by monolayer fluctuation.
| Titel: |
Low size dispersion of InAs quantum islands emitting at 1.55μm on InP (001)
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| Autor/in / Beteiligte Person: | Monat, Christelle ; Gendry, Michel ; Brault, Julien ; Besland, M.P. ; Regreny, Philippe ; Hollinger, Guy ; Salem, Bassem ; Olivares, Juan ; Bremond, Georges ; Marty, Olivier ; INL - Nanophotonique (INL - Photonique) ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N) ; Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA) ; Laboratoire d'électroniqueomatique et mesures électriques (LEAME) ; Université de Lyon-Université de Lyon ; Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (LEOM) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA) ; Laboratoire de physique de la matière (LPM) ; Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Link: | |
| Zeitschrift: | Conference Proceedings ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02353255 ; Conference Proceedings, 2002, Paris, France. pp.565-568, ⟨10.1109/ICIPRM.2002.1014491⟩, 2002 |
| Veröffentlichung: | HAL CCSD ; IEEE, 2002 |
| Medientyp: | Konferenz |
| DOI: | 10.1109/ICIPRM.2002.1014491 |
| Schlagwort: |
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