1-Mbit 3D DRAM Using a Monolithically Stacked Structure of a Si CMOS and Heterogeneous IGZO FETs

Hirose, Takeya ; Okamoto, Yuki ; et al.

In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; page 1-1 ; ISSN 2168-6734, 2024

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Titel:	1-Mbit 3D DRAM Using a Monolithically Stacked Structure of a Si CMOS and Heterogeneous IGZO FETs
Autor/in / Beteiligte Person:	Hirose, Takeya ; Okamoto, Yuki ; Komura, Yusuke ; Mizuguchi, Toshiki ; Saito, Toshihiko ; Ito, Minato ; Kimura, Kiyotaka ; Inoue, Hiroki ; Onuki, Tatsuya ; Ando, Yoshinori ; Sawai, Hiromi ; Murakawa, Tsutomu ; Kunitake, Hitoshi ; Kimura, Hajime ; Matsuzaki, Takanori ; Ikeda, Makoto ; Yamazaki, Shunpei
Link:	https://doi.org/10.1109/jeds.2024.3372053 Volltext
Zeitschrift:	IEEE Journal of the Electron Devices Society ; page 1-1 ; ISSN 2168-6734, 2024
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2024
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1109/jeds.2024.3372053
Schlagwort:	Electrical and Electronic Engineering Electronic, Optical and Magnetic Materials Biotechnology
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: unknown Document Type: article in journal/newspaper Language: unknown Rights: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/

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