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Anisotropic transport investigation through different etching depths in InAs/InAsSb T2SL barrier midwave infrared detector

Arounassalame, Vignesh ; Bouschet, M. ; et al.
In: ISSN: 1350-4495 ; Infrared Physics and Technology ; https://hal.science/hal-03765147 ; Infrared Physics and Technology, 2022, 126, pp.104315. ⟨10.1016/j.infrared.2022.104315⟩, 2022
academicJournal

Titel:
Anisotropic transport investigation through different etching depths in InAs/InAsSb T2SL barrier midwave infrared detector
Autor/in / Beteiligte Person: Arounassalame, Vignesh ; Bouschet, M. ; Alchaar, R. ; Ferreira, R. ; Carosella, F. ; Ramiandrasoa, Anthony ; Perez, J.P. ; Péré-Laperne, N. ; Christol, Philippe ; Ribet-Mohamed, Isabelle ; DOTA, ONERA, Université Paris Saclay Palaiseau ; Paris-Saclay, ONERA-Université ; Institut d’Electronique et des Systèmes (IES) ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM) ; Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR) ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM) ; Université de Montpellier (UM) ; (Veurey-Voroize), LYNRED ; Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris (LPENS) ; Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris Cité (UPCité)-Département de Physique de l'ENS-PSL ; École normale supérieure - Paris (ENS-PSL) ; Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-École normale supérieure - Paris (ENS-PSL) ; Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; LYNRED ; Photonique et Ondes (PO) ; (MAT), Matériaux ; ANR-18-CE24-0019,HOT-MWIR,Photodétecteur et matrice de détecteurs à superréseaux "Ga-free" fonctionnant à haute température dans la totalité de la gamme spectrale du moyen infrarouge(2018)
Link:
Zeitschrift: ISSN: 1350-4495 ; Infrared Physics and Technology ; https://hal.science/hal-03765147 ; Infrared Physics and Technology, 2022, 126, pp.104315. ⟨10.1016/j.infrared.2022.104315⟩, 2022
Veröffentlichung: HAL CCSD ; Elsevier, 2022
Medientyp: academicJournal
DOI: 10.1016/j.infrared.2022.104315
Schlagwort:
  • Anisotropy
  • Hole mobility
  • III-V semiconductors
  • Indium arsenide
  • Infrared radiation
  • Quantum chemistry
  • Anisotropie
  • Mobilité
  • Semiconducteur
  • Radiation
  • Infrarouge
  • Quantum
  • [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
  • [PHYS.PHYS]Physics [physics]/Physics [physics]
  • [SPI]Engineering Sciences [physics]
  • [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: BASE
  • Sprachen: English
  • Document Type: article in journal/newspaper
  • Language: English
  • Relation: hal-03765147; https://hal.science/hal-03765147

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