Effects of solution processable CuI thin films with Al 2 O 3 -based sandwiched architecture for high-performance p-type transistor applications

Lee, Hyun-Ah ; Kim, Tae In ; et al.

In: Journal of Materials Chemistry C ; ISSN 2050-7526 2050-7534, 2024

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The enhancement in electrical performance of the solution-processed p-type CuI TFTs is achieved by constructing the aluminum oxide-based sandwiched architecture, which can improve the crystallinity and anion vacancy states in the CuI channel layer.

Titel:	Effects of solution processable CuI thin films with Al 2 O 3 -based sandwiched architecture for high-performance p-type transistor applications
Autor/in / Beteiligte Person:	Lee, Hyun-Ah ; Kim, Tae In ; Kwon, Hyuck-In ; Park, Ick-Joon ; Ministry of Trade, Industry and Energy ; Korea Institute for Advancement of Technology ; National Research Foundation of Korea ; Korea Basic Science Institute
Link:	https://doi.org/10.1039/d4tc00203b Volltext
Zeitschrift:	Journal of Materials Chemistry C ; ISSN 2050-7526 2050-7534, 2024
Veröffentlichung:	Royal Society of Chemistry (RSC), 2024
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1039/d4tc00203b
Schlagwort:	Materials Chemistry General Chemistry
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: http://rsc.li/journals-terms-of-use

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