Surface Oxidation phenomena in Ge-rich GeSbTe alloys and N doping influence for Phase-Change Memory applications

Goffart, Ludovic ; Pelissier, Bernard ; et al.

In: ISSN: 0169-4332, 2021

academicJournal

International audience

Titel:	Surface Oxidation phenomena in Ge-rich GeSbTe alloys and N doping influence for Phase-Change Memory applications
Autor/in / Beteiligte Person:	Goffart, Ludovic ; Pelissier, Bernard ; Lefèvre, Gauthier ; Le–friec, Yannick ; Vallée, Christophe ; Navarro, Gabriele ; Reynard, Jean–philippe ; STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES) ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Link:	https://hal.science/hal-03388467 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.151514
Zeitschrift:	ISSN: 0169-4332, 2021
Veröffentlichung:	HAL CCSD ; Elsevier, 2021
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1016/j.apsusc.2021.151514
Schlagwort:	[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: HAL-CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Relation: hal-03388467; https://hal.science/hal-03388467

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