Multi‐Operating Mode Field‐Effect Transistors Based on SnO/SnS Heterostructures and CMOS‐Like Inverter Applications (Adv. Electron. Mater. 5/2023)

Zhang, Tao ; Liu, Yunze ; et al.

In: Advanced Electronic Materials ; volume 9, issue 5 ; ISSN 2199-160X, 2023

academicJournal

Titel:	Multi‐Operating Mode Field‐Effect Transistors Based on SnO/SnS Heterostructures and CMOS‐Like Inverter Applications (Adv. Electron. Mater. 5/2023)
Autor/in / Beteiligte Person:	Zhang, Tao ; Liu, Yunze ; Wang, Fengzhi ; Pan, Xinhua ; Ye, Zhizhen
Link:	https://doi.org/10.1002/aelm.202370022
Zeitschrift:	Advanced Electronic Materials ; volume 9, issue 5 ; ISSN 2199-160X, 2023
Veröffentlichung:	Wiley, 2023
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1002/aelm.202370022
Schlagwort:	Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Wiley Online Library (Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/

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