Proposal of a new ultra low leakage 10T sub threshold SRAM bitcell

Feki, Anis ; Allard, Bruno ; et al.

In: Proc. of the 2012 International SoC Design Conference ; ISOCC ; https://hal.science/hal-01865458 ; ISOCC, Nov 2012, Jeju Island, South Korea. ⟨10.1109/ISOCC.2012.6406898⟩, 2012

Konferenz

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International audience ; The tendency for low energy consumption in systems-on-chip results in a need for memories operating in the near- and sub-threshold regions. This paper gives a comparative study of Static Random Access Memory (SRAM) bitcells working under Ultra-Low Voltage in 32nm CMOS. A new 10T SRAM bitcell is then proposed and features low leakage current. It is capable of operation under ULV (~300mV) and allows bit-interleaving technique that is critical to cope with multiple bit soft-errors for reducing dynamic and static power consumption compared to state-of-the-art bitcells.

Titel:	Proposal of a new ultra low leakage 10T sub threshold SRAM bitcell
Autor/in / Beteiligte Person:	Feki, Anis ; Allard, Bruno ; Turgis, David ; Lafont, Jean-Christophe ; Ciampolini, Lorenzo ; ESC de Sfax ; Ampère, Département Energie Electrique (EE) ; (AMPERE), Ampère ; École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE) ; STMicroelectronics
Link:	https://hal.science/hal-01865458 https://doi.org/10.1109/ISOCC.2012.6406898
Zeitschrift:	Proc. of the 2012 International SoC Design Conference ; ISOCC ; https://hal.science/hal-01865458 ; ISOCC, Nov 2012, Jeju Island, South Korea. ⟨10.1109/ISOCC.2012.6406898⟩, 2012
Veröffentlichung:	HAL CCSD ; IEEE, 2012
Medientyp:	Konferenz
DOI:	10.1109/ISOCC.2012.6406898
Schlagwort:	Jeju Island South Korea Bitcell half selected bitcells Leakage SRAM Sub threshold Design [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power Subject Geographic: Jeju Island South Korea
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: HAL Lyon 1 (University Claude Bernard Lyon 1) Document Type: conference object Language: English Relation: hal-01865458; https://hal.science/hal-01865458

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