Reliability Evaluation of Aluminum Implanted CMOS Microcircuits

Smith, Jack S ; ROME AIR DEVELOPMENT CENTER GRIFFISS AFB, NY

In: DTIC AND NTIS, 1976

academicJournal

A reliability evaluation of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) microcircuits which were made hard to total ionizing dose by means of ion implanting aluminum in the gate insulator was conducted. The testing revealed the existence of room temperature threshold voltage instabilities. Failure analysis isolated the cause to charge migration within the insulator. A complete description of the instability in relation to temperature and gate voltage is developed. Finally, a model for the CMOS behavior under temperature bias conditions as well as radiation response is proposed.

Titel:	Reliability Evaluation of Aluminum Implanted CMOS Microcircuits
Autor/in / Beteiligte Person:	Smith, Jack S ; ROME AIR DEVELOPMENT CENTER GRIFFISS AFB, NY
Link:	http://www.dtic.mil/docs/citations/ADB011849 http://oai.dtic.mil/oai/oai?&verb=getRecord&metadataPrefix=html&identifier=ADB011849
Zeitschrift:	DTIC AND NTIS, 1976
Veröffentlichung:	1976
Medientyp:	academicJournal
Schlagwort:	Electrical and Electronic Equipment Nuclear Radiation Shield Protection & Safety ALUMINUM COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS FAILURE(ELECTRONICS) INTEGRATED CIRCUITS ION IMPLANTATION N TYPE SEMICONDUCTORS RADIATION HARDENING RELIABILITY(ELECTRONICS) aluminum complementary metal oxide semiconductors electrical insulation failure failure(electronics) gates(circuits) integrated circuits ion implantation microcircuits microelectronics n type semiconductors radiation radiation effects radiation hardening reliability reliability(electronics) test and evaluation transistors voltage
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Defense Technical Information Center: DTIC Technical Reports database Document Type: text File Description: text/html Language: English Rights: Approved for public release; distribution is unlimited.

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