用沟道离子束合成法研制YSilt;,1.7gt;及Colt;,xgt;Ylt;,1-xgt;Silt;,1.7gt

陈守元 ; 北京大学

In: 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Thesis_Y312032.aspx, 1999

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该文的目的是用沟道离子束合成(Channeled Ion Beam Synthesis)研制结晶品质较好的YSi<,1.7>及其三元硅化物Co<,x>Y<,1-x>Si<,1.7>,并研究三元硅化物Co<,x>Y<,1-x>Si<,1.7>的晶体结构.该论文的创新点在于,利用入射离子在单晶Si内的沟道效应,解决了重离子,特别是稀土离子注入时由于自溅射,难于在Si单晶中形成结晶品质较好异质外延层的问题.并研究了晶系结构不相同的两种硅化物形成三元硅化物的可能性和晶体的结构. ; 0

Titel:	用沟道离子束合成法研制YSilt;,1.7gt;及Colt;,xgt;Ylt;,1-xgt;Silt;,1.7gt
Autor/in / Beteiligte Person:	陈守元 ; 北京大学
Link:	http://hdl.handle.net/20.500.11897/380452 https://doi.org/20.500.11897/380452 Volltext
Zeitschrift:	万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Thesis_Y312032.aspx, 1999
Veröffentlichung:	1999
Medientyp:	Hochschulschrift
DOI:	20.500.11897/380452
Schlagwort:	晶体结构稀土硅化物沟道离子束合成三元稀土硅化物
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: Peking University Institutional Repository (PKU IR) / 北京大学机构知识库 Document Type: thesis Language: Chinese Relation: 北京大学.; 743220; http://hdl.handle.net/20.500.11897/380452

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