Unveiling the stacking-dependent electronic properties of the 2D ultrathin rare-earth metalloxenes family LnX 2 (Ln = Eu, Gd, Dy; X = Ge, Si)

Mihalyuk, Alexey N. ; Sheverdyaeva, Polina M. ; et al.

In: Journal of Materials Chemistry C ; ISSN 2050-7526 2050-7534, 2024

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It is discovered that in 2D rare-earth metalloxenes the capping layer enables the modification of the stacking order within metalloxene film and induces changes in the electronic band-structure and magnetic ground-state.

Titel:	Unveiling the stacking-dependent electronic properties of the 2D ultrathin rare-earth metalloxenes family LnX 2 (Ln = Eu, Gd, Dy; X = Ge, Si)
Autor/in / Beteiligte Person:	Mihalyuk, Alexey N. ; Sheverdyaeva, Polina M. ; Chou, Jyh-Pin ; Matetskiy, Andrey V. ; Eremeev, Sergey V. ; Zotov, Andrey V. ; Saranin, Alexander A. ; Russian Science Foundation ; National Science and Technology Council
Link:	https://doi.org/10.1039/d4tc00173g Volltext
Zeitschrift:	Journal of Materials Chemistry C ; ISSN 2050-7526 2050-7534, 2024
Veröffentlichung:	Royal Society of Chemistry (RSC), 2024
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1039/d4tc00173g
Schlagwort:	Materials Chemistry General Chemistry
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/

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