纳米尺度CMOS新器件关键工艺研究

范春晖 ; 北京大学

In: 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Thesis_Y1773900.aspx, 2010

Online Hochschulschrift

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Titel:	纳米尺度CMOS新器件关键工艺研究
Autor/in / Beteiligte Person:	范春晖 ; 北京大学
Link:	http://hdl.handle.net/20.500.11897/353683 https://doi.org/20.500.11897/353683 Volltext
Zeitschrift:	万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Thesis_Y1773900.aspx, 2010
Veröffentlichung:	2010
Medientyp:	Hochschulschrift
DOI:	20.500.11897/353683
Schlagwort:	硅纳米线围栅器件镍硅化物镍锗硅化物杂质分凝肖特基势垒 CMOS工艺
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: Peking University Institutional Repository (PKU IR) / 北京大学机构知识库 Document Type: thesis Language: Chinese Relation: 北京大学.; 715671; http://hdl.handle.net/20.500.11897/353683

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