Indium-oxide nanoparticles for Ox-RRAM in CMOS back-end-off-line
In: EUROSOI-ULIS, 2017 ; https://hal.science/hal-01701469 ; EUROSOI-ULIS, 2017
Konferenz
Zugriff:
3-5 April 2017 ; International audience ; We report on the fabrication and characterization of Resistive Random Access Memory (RRAM) devices based on nanoparticles with a memory capacitor structure. Our approach is based on the use of indium oxide (In2O3) nanoparticles (or nanocrystals NCs) embedded in a dielectric matrix as a charge trapping layer using CMOS-full-compatible fabrication processes in view of back-end-off-line integration for non-volatile memory (NVM) applications. Current-voltage characteristics (I-V) showed bipolar switching behavior for all the fabricated devices, with ION/IOFF ratios up to 105. Moreover, our best structure yields up to 24 write/erase cycles, proving that our results provide insights for further integration of In2O3 nanoparticles-based devices.
| Titel: |
Indium-oxide nanoparticles for Ox-RRAM in CMOS back-end-off-line
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| Autor/in / Beteiligte Person: | Leon Perez, Edgar ; Guenery, Pierre-Vincent ; Abouzaid, O. ; Ayadi, Khaled ; Baboux, Nicolas ; Militaru, Liviu ; Souifi, Abdelkader ; Moeyaert, J. ; Baron, T. ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ) ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon) |
| Link: | |
| Zeitschrift: | EUROSOI-ULIS, 2017 ; https://hal.science/hal-01701469 ; EUROSOI-ULIS, 2017 |
| Veröffentlichung: | HAL CCSD, 2017 |
| Medientyp: | Konferenz |
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