Formation CMOS Schemes on GaAs with Self-Aligned Nitride and Silicide Gates ; Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами
In: Physics and Chemistry of Solid State; Vol 16, No 2 (2015); 420-424 ; Фізика і хімія твердого тіла; Vol 16, 2016
academicJournal
Zugriff:
Advanced integrated logic circuits on GaAs are mainly based on the using of n-channel field-effect transistors with gate Schottky (MESFET). To create the complementary MESFET integrated circuits the main problem is quite small Schottky barrier height (< 0,5 eV) on p-type gallium arsenide. One way to solve this problem is to use a nitride or silicide tungsten compounds to form gates given the thickness and composition. This paper highlights the features of the formation of complementary high-speed logic circuits on the pGaAs with self-aligned gate based on nitride or silicide of tungsten obtained by reduced pressure horizontal reactor "Izotron 4" and of RF magnetron sputtering equipment "Oratorio-5." This technology can also be used to form a Schottky contact to n- channel MESFET. Since the manufacturing process of MESFET self-aligned gate provides using refractory gate material as a mask for the multiply ion implantation, the Schottky contact must withstand subsequent high-temperature heat treatment required to activate implanted impurities. In this connection, the action of high-temperature photonic and resistive heating on the barrier height of Schottky contact formed by nitride (silicide) tungsten (WNx, WSix) GaAs was also studied. ; Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.
Titel: |
Formation CMOS Schemes on GaAs with Self-Aligned Nitride and Silicide Gates ; Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами
|
---|---|
Autor/in / Beteiligte Person: | Novosjadly, S. P. ; Terletsky, A. I. ; Fryk, O. B. |
Link: | |
Zeitschrift: | Physics and Chemistry of Solid State; Vol 16, No 2 (2015); 420-424 ; Фізика і хімія твердого тіла; Vol 16, 2016 |
Veröffentlichung: | Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, 2016 |
Medientyp: | academicJournal |
DOI: | 10.15330/pcss.16.2.420-424 |
Sonstiges: |
|